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MPCVD设备

? 微波等离子化学气相沉积技术(MPCVD) , 通过等离子增加前驱体的反应速率,降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量的金刚石单晶和多晶薄膜

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SiC高温氧化设备

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专用于硅-碳化合物(SiC）氧化处理，可实现SiC片高温环境下完成高温氧化工艺。氧化工艺使用O2,O2/H2，N2O，NO是最安全的毒性气体氧化炉，设备适用于SiC基功率器件制造中的高温氧化工艺环节，加热腔与工艺腔独立密闭设计，提供工艺腔的洁净度。

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? 微波等离子化学气相沉积技术(MPCVD) , 通过等离子增加前驱体的反应速率,降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量的金刚石单晶和多晶薄膜

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