产品分类
垂直布里奇曼法（VB）炉（非铱技术）
所属分类：
Ga2O3单晶生长及外延设备
垂直布里奇曼法（VB）炉（非铱技术）
概要：
本设备主要用于氧化镓（Ga2O3）单晶生长（无铱法），将原料放在垂直的坩埚内， 然后从坩埚尖端开始通过预设好的温度梯度区作定向凝固。通过缓慢降温而生长出单晶。
关键词：
坩埚下降法（vb）长晶炉
垂直布里奇曼法（VB）炉（非铱技术）
产品概述/Product Introduction：
本设备主要用于氧化镓（Ga2O3）单晶生长（无铱法），将原料放在垂直的坩埚内， 然后从坩埚尖端开始通过预设好的温度梯度区作定向凝固。通过缓慢降温而生长出单晶。
This equipment is mainly used for single crystal growth of Gallium Oxide (Ga2O3) (non-iridium method), where the raw material is placed in a vertical crucible and then directionally solidified from the tip of the crucible through a pre-set temperature gradient zone. Single crystals are grown by slow cooling.
提供2英寸验证工艺
Provide 2 inches validation process.
产品特点/Product Characteristics：
♦产量:2-6英寸 Capacity:2-6 inches
♦最高温度:1850℃ Maximum temperature: 1850°C
♦加热方式:电阻/RF Heating method: Resistance heating/RF heating
♦自动化:全自动化（除装取料外） Automation:Full automation (except loading and unloading)
♦气路:3路 Air Circuit:3 ways
♦衬底:2英寸 Substrate:2 inches
♦单晶:2英寸 高度:30mm Single crystal:2 inches Height:30mm
♦纯单晶，没有杂质，电学性能不做保证 Pure single crystal, no impurities, electrical properties are not guaranteed
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HVPE外延炉——卧式
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