产品分类
SiC高温氧化炉
所属分类：
氧化/扩散/退火
半导体工艺设备
SiC高温氧化炉
概要：
专用于SiC晶圆的高温氧化工艺，可实现晶圆片高温真空环境下完成氧化工艺?？墒褂肙2,N2O，NO，NO2或湿法氧化，采用无金属加热和真空装备。 适用工艺：氧化
关键词：
SiC高温氧化炉
SiC高温氧化炉
产品概述/Product Introduction：
专用于SiC晶圆的高温氧化工艺，可实现晶圆片高温真空环境下完成氧化工艺?？墒褂肙2,N2O，NO，NO2或湿法氧化，采用无金属加热和真空装备。
A high-temperature oxidation process specifically designed for SiC wafers, capable of completing the oxidation process in a high-temperature vacuum environment. O2, N2O, NO, NO2 or wet oxidation can be used, using non-metallic heating and vacuum equipment.
适用工艺：氧化
Applicable process: oxidation
技术指标/Technical Indicators：
♦ 晶片尺寸：6-8英寸 Wafer size: 6-8 inches
♦ 制程温度范围: 800-1600°C Process temperature range: 800-1600°C
♦ 批次片数: 50-75片 Batch capacity: 50-75 pcs
产品特点/ Product characteristics：
♦ 采用立式结构、工艺控制好、温度分布均匀、气流稳定
The vertical structure is adopted, the process is well controlled, the temperature distribution is uniform, and the airflow is stable
♦Robot自动传送
Robot Auto Transfer (Optional)
♦ 多点控温，温度均匀
Multi-point temperature control, uniform temperature
♦ 具有多种报警功能及安全?；すδ?/p>
Has various alarm functions and safety protection functions
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