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本设备是将SiC籽晶通过有机胶粘接在石墨上。提高籽晶粘接质量是保证高 品质SiC晶体生长的首要前提。
本设备主要用于碳化硅（SiC）、氮化铝（AIN）单晶生长。
本设备主要用于碳化硅（SiC）、氮化铝（AIN）单晶生长。
液相法可以在更低的温度（＜2000℃）以下实现SiC单晶的生长，理论上更容易获得高质量的单晶。利用温度梯度作为生长驱动力来实现晶体的生长。