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山東力冠微電子裝備

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垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術(shù)）

本設(shè)備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長（無銥法），將原料放在垂直的坩堝內(nèi)， 然后從坩堝尖端開始通過預(yù)設(shè)好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。

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