產(chǎn)品分類(lèi)
聯(lián)系方式
PVT法長(zhǎng)晶爐——電阻爐
所屬分類(lèi)：
SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備
PVT法長(zhǎng)晶爐
概要：
本設(shè)備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長(zhǎng)。
關(guān)鍵詞：
PVT法長(zhǎng)晶爐——電阻爐
PVT法長(zhǎng)晶爐——電阻爐
產(chǎn)品概述/Product Introduction：
本設(shè)備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長(zhǎng)。
This equipment is mainly used for the single crystal growth of siliconcarbide(SiC) and aluminumnitride(AIN).
提供6/8英寸工藝
Provide6/8 inches process
產(chǎn)品特點(diǎn)/Product Characteristics：
可生長(zhǎng)8英寸碳化硅晶體
Growable 8-inch silicon carbide crystal
配備坩堝升降及旋轉(zhuǎn)功能
Equipped with crucible lifting and rotating functions
自主開(kāi)發(fā)的控制系統(tǒng)，可遠(yuǎn)程控制
Independently developed control system, capable of remote control
晶體尺寸：6/8/12英寸
Crystal size: 6/8/12 inches
加熱溫度：2400℃
Heating temperature: 2400℃
加熱方式：感應(yīng)/電阻
Heating method: induction/resistance
溫度檢測(cè)：高溫計(jì)
Temperature detection: Pyrometer
極限真空：9.5E-5Pa
Extreme vacuum: 9.5E-5Pa
氣路系統(tǒng)：3路
Gas system: 3 channels
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